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  • 鋁碳化硅在航天領域中的應用

    鋁碳化硅在航天領域中的應用

    鋁基碳化硅是一種顆粒增強金屬基復合材料,采用鋁合金作基體,用碳化硅顆粒作增強體,構成有明顯界面的多組相復合材料,兼具單一金屬不具備的綜合優越性能。鋁基碳化硅具有高韌性、高塑性,還兼具碳化硅顆粒的高硬度、高模量等優點,并且熱導率高,還有可調的熱膨脹系數,是新一代電子封裝材料,在電子領域發揮著極大的作用。但是鋁基碳化硅因特性導致其加工難度高,間接限制了它的應用范圍,而鈞杰陶瓷能有效加工這種材料。近幾年,鋁基碳化硅作為結構件也在航天領域中有了一定應用,而且前景一篇“光明”。鋁基碳化硅在戰斗機中的應用在

  • 鋁碳化硅產品設計有哪些呢

    鋁碳化硅產品設計有哪些呢

    ◆板類產品用 AlSiC 制成各種板類的產品,用于各類電路的熱沉、基板、 封蓋、過渡片等,可替代目前在使用的氧化鈹、氮化鋁、鉬片、鎢銅合 金及其它金屬材料。板類產品,可分為裸材和表面覆鋁!螽a品成型尺寸長度寬度厚度外形加工內部加工最大24524510可加工各種形狀可打孔、攻絲、臺階孔等最小330.5在特殊要求下,可以制造最大245*350*80mm 的材料,但制造成本將會很高。過厚的材料內部致密度會受到影響。最大尺寸可以是裸材或表面覆鋁,也可在裸材或表面鋁上加工各種形狀(拱面,傘面等);最小尺寸一般為裸材,在特殊條件下,厚度可加工

  • 你了解鋁碳化硅嗎

    你了解鋁碳化硅嗎

    鋁碳化硅 AlSiC (Al/SiC, SiC/Al) 是一種顆粒增強鋁基復合材料,采用鋁合金作為基體,SiC作為增強體,充分結合了陶瓷和金屬鋁的不同優勢,實現了封裝了輕便化、高密度化等要求。AlSiC密度在2.95~3.1g/cm3之間,熱膨脹系數(CTE)6.5~9ppm/℃,具有可調的體積分數,提高碳化硅體積分數可以使材料的熱膨脹系數顯著降低。同時,鋁碳化硅還具有高的熱導率和比剛度,表面能夠鍍鎳、金、銀、銅,具有良好的鍍覆性能。密度(g/cm3)≥2.95熱導率((W/m.K) @25℃)200線膨脹系數(CTE) ppm/℃6.5~9彈性模量(G Pa)200抗彎強度(MPa)400電阻率(μΩ·c

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  • 鋁碳化硅的應用領域(下)

    鋁碳化硅的應用領域(下)

    熱沉、基板鋁碳化硅用于電子芯片(專用集成電路)以及電源模塊的散熱片,微處理器蓋板及散熱器;電腦芯片(CPU)和服務器芯片(MPU)的蓋板或底層散熱片!敉庑谓Y構簡單,卻有超強的散熱能力◆具有與不同基體相匹配的熱膨脹系數及高的熱導率◆優良的高溫穩定性及均一性◆表面處理◇表面鍍鎳、金、銀等結構件鋁碳化硅在抗熱形變結構件、耐磨結構件、輕量化航空、航天結構件,在機器人領域等也已經得到應用。例:導波管承載支架,鏈齒輪◆鋁碳化硅質輕、堅硬、抗壓強度高、耐磨、抗沖擊、熱形變小◆復雜的結構件可以凈成型或近凈成型◆可在某

  • 鋁碳化硅的應用領域(上)

    鋁碳化硅的應用領域(上)

    功率模塊鋁碳化硅底板封裝的IGBT產品廣泛應用于高鐵、地鐵、新能源汽車、風力發電等領域,用來替代銅、鋁底板,能大大提高功率器件的可靠性!魺崤蛎洝鬅崤蛎浵禂蹬c半導體芯片和陶瓷基片有良好的匹配性◇高的熱循環(相比銅的熱循環,其上萬次熱循環,模塊仍然工作良好)◆高熱導率◇最低180W/mK @25℃◆密度小質量輕◇只有銅的1/3 ◇最低2.95g/cm3◆剛度大、強度高◆表面設計成一平面和一拱面◇平面上進行芯片的焊接,拱面與散熱器連接◆標準尺寸或自由設計尺寸◆低成本有槽、孔的鑄造方案◆pin鑄造成型◇多齒設計◇圓錐形、菱形、橢圓形

  • 鋁碳化硅(AlSiC)復合材料-- IGBT基板

    鋁碳化硅(AlSiC)復合材料-- IGBT基板

    大電流IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)模塊在工作時,會產生大量的熱。尤其是工作電流達到600A以上的IGBT模塊。類似功率模塊的封裝熱管理工藝中,考慮的目標是消除熱結。那么,需要在芯片底部和散熱器之間的熱通道建設盡量暢通。銅基板具有良好的導熱能力,但銅的熱膨脹系數接近IGBT芯片的三倍,而且IGBT芯片陶瓷襯底的面積可高達50mmx60mm,這三倍的差異在低功率模塊封裝可用陶瓷覆銅板或多層陶瓷覆銅板來過渡解決。高功率模塊如果用銅基板去承載芯片襯底同時在下方接合散熱器的話,焊接的銅基板經受不住1000次熱循環,焊接外緣就會出現分層脫

相關知識

鋁碳化硅 AlSiC (Al/SiC, SiC/Al) 是一種顆粒增強鋁基復合材料,采用鋁合金作為基體,SiC作為增強體,充分結合了陶瓷和金屬鋁的不同優勢,實現了封裝了輕便化、高密度化等要求。

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