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你了解鋁碳化硅嗎

鋁碳化硅 AlSiC (Al/SiC, SiC/Al) 是一種顆粒增強鋁基復合材料,采用鋁合金作為基體,SiC作為增強體,充分結合了陶瓷和金屬鋁的不同優勢,實現了封裝了輕便化、高密度化等要求。

AlSiC密度在2.95~3.1g/cm3之間,熱膨脹系數(CTE)6.5~9ppm/℃,具有可調的體積分數,提高碳化硅體積分數可以使材料的熱膨脹系數顯著降低。同時,鋁碳化硅還具有高的熱導率和比剛度,表面能夠鍍鎳、金、銀、銅,具有良好的鍍覆性能。

密度(g/cm3)

2.95

熱導率((W/m.K) @25℃)

200

線膨脹系數(CTE) ppm/℃

6.5~9

彈性模量(G Pa)

200

抗彎強度(M Pa)

400

電阻率(μΩ·cm)

21

氣密性(atm-cm3/s He)

<10-9

鋁碳化硅復合材料的比剛度是所有電子材料中最高的:是鋁的3倍,W-Cu和Kovar 的5倍,銅的25倍,另外鋁碳化硅的抗震性好,因此是惡劣環境(震動較大,如航天、汽車等領域)下的首選材料。鋁碳化硅復合材料已成為航空航天、國防、功率模塊和其他電子元器件所需求的新型封裝材料。用于航空航天微波、功率放大模塊等電子器件及模塊的封裝殼體或底座。

與其他材料性能對比:

材料

成分

   密度(g/cm3)

熱膨脹系數   (10-6/K)

  熱導率(W/mK)

AlSiC

Al+(50%-70%)SiC

3.05

6-9

180-240

CuW

W+(10%-20%)Cu

15.6-17.0

6.5-8.3

180-200

CuMo

Mo+(15%-20%)Cu

10.00

7.0-8.0

160-170

AlSi

50%Al+50Si

2.55

11.4

126

Kovar

Fe+Ni

8.10

5.9

17

Cu


8.96

17.8

398

Al


2.70

23.6

238

Si


2.30

4.2

151

GaAs


5.23

6.5

54

Al2O3


3.60

6.7

17

BeO


2.90

7.6

250

AlN

98%purity

3.30

4.5

160-200 




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